Vishay Semiconductor Diodes Division - UGF12JTHE3/45

KEY Part #: K6445584

UGF12JTHE3/45 ფასები (აშშ დოლარი) [7304ცალი საფონდო]

  • 1,000 pcs$0.34503

Ნაწილი ნომერი:
UGF12JTHE3/45
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 12A ITO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGF12JTHE3/45 electronic components. UGF12JTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGF12JTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGF12JTHE3/45 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : UGF12JTHE3/45
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 12A ITO220AC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 12A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.75V @ 12A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 30µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ITO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode