Vishay Semiconductor Diodes Division - SRP100K-E3/54

KEY Part #: K6444088

[2568ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SRP100K-E3/54
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SRP100K-E3/54 electronic components. SRP100K-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SRP100K-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SRP100K-E3/54 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SRP100K-E3/54
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 200ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 800V
    Capacitance @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AL (DO-41)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -50°C ~ 125°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-30WQ10FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.