Renesas Electronics America - RJU60C2SDPD-E0#J2

KEY Part #: K6444111

[2561ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    RJU60C2SDPD-E0#J2
    მწარმოებელი:
    Renesas Electronics America
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Renesas Electronics America RJU60C2SDPD-E0#J2 electronic components. RJU60C2SDPD-E0#J2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJU60C2SDPD-E0#J2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJU60C2SDPD-E0#J2 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : RJU60C2SDPD-E0#J2
    მწარმოებელი : Renesas Electronics America
    აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 5A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2V @ 15A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 70ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 600V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-30WQ10FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.