Vishay Semiconductor Diodes Division - AS3PGHM3/86A

KEY Part #: K6445418

[2114ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    AS3PGHM3/86A
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division AS3PGHM3/86A electronic components. AS3PGHM3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS3PGHM3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AS3PGHM3/86A პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : AS3PGHM3/86A
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A
    სერიები : eSMP®
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Avalanche
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2.1A (DC)
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 920mV @ 1.5A
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 1.2µs
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 400V
    Capacitance @ Vr, F : 37pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-277, 3-PowerDFN
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-277A (SMPC)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • C2D05120E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

    • VS-20ETF04FPPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

    • IDB23E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

    • IDB12E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

    • VS-80EPS08PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

    • VS-80EPF12PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.