Infineon Technologies - IDW30E60AFKSA1

KEY Part #: K6455757

IDW30E60AFKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [45570ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.85803
  • 240 pcs$0.85289

Ნაწილი ნომერი:
IDW30E60AFKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IDW30E60AFKSA1 electronic components. IDW30E60AFKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDW30E60AFKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW30E60AFKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IDW30E60AFKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 60A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2V @ 30A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 143ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 40µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-247-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247-3
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDSH-4E TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers Enh Spec Schottky 40Vrrm 200mA 250mW

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA