S07J-GS18 ფასები (აშშ დოლარი) [991323ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.03731
- 10,000 pcs$0.03412
- 30,000 pcs$0.03191
- 50,000 pcs$0.02935
- Ნაწილი ნომერი:
- S07J-GS18
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 600 Volt 1.8uS
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - JFET ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S07J-GS18 electronic components. S07J-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S07J-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S07J-GS18 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
S07J-GS18
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GP 600V 700MA DO219AB
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
700mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 1A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
1.8µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-219AB (SMF)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
S07J-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 600 Volt 1.8uS
-
SS1FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
-
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 35 Volt 300mA 2ns
-
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 200mA 30 Volt 5.0 Amp IFSM
-
SD103A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 20mA 40 Volt
-
FESB16ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 50 Volt 35ns 250 Amp IFSM
ცხელი ნაწილები
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54
选择你的位置