Rohm Semiconductor - RFN2LAM4STR

KEY Part #: K6457542

RFN2LAM4STR ფასები (აშშ დოლარი) [557903ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06630

Ნაწილი ნომერი:
RFN2LAM4STR
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400V 1.5A Io PMDTM Schottky
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RFN2LAM4STR electronic components. RFN2LAM4STR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN2LAM4STR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFN2LAM4STR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RFN2LAM4STR
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 1.5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOD-128
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PMDTM
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • CMDSH05-4 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • US1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt