BAW76-TAP ფასები (აშშ დოლარი) [4071459ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.00908
- 50,000 pcs$0.00684
- Ნაწილი ნომერი:
- BAW76-TAP
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 35 Volt 300mA 2ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAW76-TAP electronic components. BAW76-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAW76-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAW76-TAP პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BAW76-TAP
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
300mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 100mA
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
4ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
100nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-35
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
175°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
S07J-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 600 Volt 1.8uS
-
SS1FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
-
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 35 Volt 300mA 2ns
-
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 200mA 30 Volt 5.0 Amp IFSM
-
SD103A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 20mA 40 Volt
-
FESB16ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 50 Volt 35ns 250 Amp IFSM
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置