Ნაწილი ნომერი :
GP1M009A020CG
მწარმოებელი :
Global Power Technologies Group
აღწერა :
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
8.6nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
414pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
52W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D-Pak
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63