ON Semiconductor - HUF75321D3ST

KEY Part #: K6393005

HUF75321D3ST ფასები (აშშ დოლარი) [213752ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.17390
  • 2,500 pcs$0.17304

Ნაწილი ნომერი:
HUF75321D3ST
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor HUF75321D3ST electronic components. HUF75321D3ST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF75321D3ST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HUF75321D3ST პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : HUF75321D3ST
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
სერიები : UltraFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 44nC @ 20V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 680pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 93W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252AA
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ