STMicroelectronics - STP5N80K5

KEY Part #: K6416763

STP5N80K5 ფასები (აშშ დოლარი) [52836ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.70659
  • 10 pcs$0.62715
  • 100 pcs$0.49578
  • 500 pcs$0.38448
  • 1,000 pcs$0.28713

Ნაწილი ნომერი:
STP5N80K5
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
N-CHANNEL 800 V 1.50 OHM TYP..
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STP5N80K5 electronic components. STP5N80K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP5N80K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP5N80K5 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STP5N80K5
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : N-CHANNEL 800 V 1.50 OHM TYP.
სერიები : MDmesh™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 177pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 60W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.