Ნაწილი ნომერი :
RW1E014SNT2R
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
ნაწილის სტატუსი :
Not For New Designs
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
1.4nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
70pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
700mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
6-WEMT
პაკეტი / საქმე :
SOT-563, SOT-666