Rohm Semiconductor - RW1E014SNT2R

KEY Part #: K6421676

RW1E014SNT2R ფასები (აშშ დოლარი) [1528127ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02676
  • 8,000 pcs$0.02663

Ნაწილი ნომერი:
RW1E014SNT2R
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RW1E014SNT2R electronic components. RW1E014SNT2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RW1E014SNT2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RW1E014SNT2R პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RW1E014SNT2R
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.4nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 70pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 700mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-WEMT
პაკეტი / საქმე : SOT-563, SOT-666

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ