გამოსახულება | საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი | აღწერა / PDF | რაოდენობა / RFQ |
---|---|---|---|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA. |
25355ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample. |
22057ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
20168ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
20623ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample. |
15426ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
14339ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
24465ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
25904ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
15824ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
26724ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Sample. |
19606ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16925ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
24868ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
20149ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25205ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25285ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
23631ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
15126ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16925ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25191ცალი საფონდო |