DDR4, K4A8G085WB-BITD, K4A8G085WC-BCPB, 2

საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი	აღწერა / PDF	რაოდენობა / RFQ
K4A8G085WB-BIRC Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.	21766ცალი საფონდო
K4A8G085WB-BITD Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.	19189ცალი საფონდო
K4A8G085WC-BCPB Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	16597ცალი საფონდო
K4A8G085WC-BCRC Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	24489ცალი საფონდო
K4A8G085WC-BCTD Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	19231ცალი საფონდო
K4A8G085WC-BCWE Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	21766ცალი საფონდო
K4A8G085WC-BITD Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.	23945ცალი საფონდო
K4A8G085WC-BIWE Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.	14142ცალი საფონდო
K4A8G165WB-BCPB Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.	24170ცალი საფონდო
K4A8G165WB-BCRC Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.	25018ცალი საფონდო
K4A8G165WB-BCTD Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.	25398ცალი საფონდო
K4A8G165WB-BCWE Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.	24756ცალი საფონდო
K4A8G165WB-BIRC Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.	20416ცალი საფონდო
K4A8G165WB-BITD Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.	26874ცალი საფონდო
K4A8G165WB-BIWE Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.	19714ცალი საფონდო
K4A8G165WC-BCPB Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.	17010ცალი საფონდო
K4A8G165WC-BCRC Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.	24976ცალი საფონდო
K4A8G165WC-BCTD Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.	20430ცალი საფონდო
K4A8G165WC-BCWE Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.	26293ცალი საფონდო
K4A8G165WC-BITD Samsung Semiconductor	8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.	16752ცალი საფონდო

DDR4

კლასიფიკაციის გვერდები