Infineon Technologies - IRFZ46ZSTRLPBF

KEY Part #: K6419856

IRFZ46ZSTRLPBF ფასები (აშშ დოლარი) [138806ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.30484
  • 800 pcs$0.30332

Ნაწილი ნომერი:
IRFZ46ZSTRLPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRFZ46ZSTRLPBF electronic components. IRFZ46ZSTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFZ46ZSTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFZ46ZSTRLPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFZ46ZSTRLPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 51A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.6 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1460pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 82W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ