ON Semiconductor - FDMS86101DC

KEY Part #: K6395264

FDMS86101DC ფასები (აშშ დოლარი) [53461ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.73504
  • 3,000 pcs$0.73139

Ნაწილი ნომერი:
FDMS86101DC
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDMS86101DC electronic components. FDMS86101DC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS86101DC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86101DC პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDMS86101DC
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
სერიები : Dual Cool™, PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 14.5A (Ta), 60A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3135pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.2W (Ta), 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Dual Cool™56
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ