Keystone Electronics - 2500

KEY Part #: K7359545

2500 ფასები (აშშ დოლარი) [346374ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09887
  • 10 pcs$0.09373
  • 50 pcs$0.06985
  • 100 pcs$0.06490
  • 250 pcs$0.05739
  • 1,000 pcs$0.04492
  • 2,500 pcs$0.04118
  • 5,000 pcs$0.03993

Ნაწილი ნომერი:
2500
მწარმოებელი:
Keystone Electronics
Დეტალური აღწერა:
THUMB SCREW KNOB 4-40. Screws & Fasteners NYLON KNURL HEAD THUMB SCREW
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დაფის დისტანციურები, დგომა, სხვადასხვა, ხვრელი სანთლები, საყელურები, სამონტაჟო ფრჩხილები, დაფა მხარს უჭერს, დამაგრებითი შესაკრავები and კომპონენტის იზოლატორები, მონტაჟი, სივრცები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Keystone Electronics 2500 electronic components. 2500 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2500, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2500 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 2500
მწარმოებელი : Keystone Electronics
აღწერა : THUMB SCREW KNOB 4-40
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : Thumb Screw
ხრახნიანი ხელმძღვანელის ტიპი : Knob
წამყვანი ტიპი : -
მახასიათებლები : -
ძაფის ზომა : #4-40
ხელმძღვანელის დიამეტრი : 0.300" (7.62mm)
სიმაღლის თავი : 0.280" (7.11mm)
სიგრძე - ხელმძღვანელის ქვემოთ : 0.250" (6.35mm) 1/4"
სიგრძე - საერთო ჯამში : 0.530" (13.46mm)
მასალა : Nylon
პლასტმასის : -

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.