Infineon Technologies - FF150R12RT4HOSA1

KEY Part #: K6533495

FF150R12RT4HOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [1424ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$30.40638

Ნაწილი ნომერი:
FF150R12RT4HOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT MODULE 1200V 150A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FF150R12RT4HOSA1 electronic components. FF150R12RT4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF150R12RT4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF150R12RT4HOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FF150R12RT4HOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT MODULE 1200V 150A
სერიები : C
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Half Bridge
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 150A
ძალა - მაქსიმუმი : 790W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 150A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : -
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GP250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

  • VS-GT105NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • CM600HA-24A

    Powerex Inc.

    IGBT MOD SGL 1200V 600A A SERIES.

  • APTGT200A120G

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6.

  • APTGFQ25H120T2G

    Microsemi Corporation

    IGBT 1200V 40A 227W MODULE.