Microsemi Corporation - APTGT200A120G

KEY Part #: K6533594

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT200A120G electronic components. APTGT200A120G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT200A120G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : APTGT200A120G

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

IGBT ტიპი : Trench Field Stop

კონფიგურაცია : Half Bridge

ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V

მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 280A

ძალა - მაქსიმუმი : 890W

Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A

მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 350µA

შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 14nF @ 25V

შეყვანა : Standard

NTC თერმოსტორი : No

ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : SP6

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP6

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT105NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.
VS-GT105LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.