ON Semiconductor - HGT1N40N60A4D

KEY Part #: K6534378

[521ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    HGT1N40N60A4D
    მწარმოებელი:
    ON Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in ON Semiconductor HGT1N40N60A4D electronic components. HGT1N40N60A4D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGT1N40N60A4D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HGT1N40N60A4D პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : HGT1N40N60A4D
    მწარმოებელი : ON Semiconductor
    აღწერა : IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : -
    კონფიგურაცია : Single
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 110A
    ძალა - მაქსიმუმი : 298W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 40A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : -
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : No
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • GA400TD25S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

    • CPV364M4F

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

    • CPV363M4F

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

    • GA200SA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

    • GA200SA60S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT STD 600V 100A SOT227.

    • STGE50NB60HD

      STMicroelectronics

      IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.