Microsemi Corporation - APT30GP60JDQ1

KEY Part #: K6534715

APT30GP60JDQ1 ფასები (აშშ დოლარი) [3628ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$11.94225
  • 19 pcs$11.94217

Ნაწილი ნომერი:
APT30GP60JDQ1
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 600V 67A 245W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT30GP60JDQ1 electronic components. APT30GP60JDQ1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT30GP60JDQ1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT30GP60JDQ1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT30GP60JDQ1
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 600V 67A 245W SOT227
სერიები : POWER MOS 7®
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
IGBT ტიპი : PT
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 67A
ძალა - მაქსიმუმი : 245W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 30A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 500µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.2nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOTOP®

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.