Infineon Technologies - DDB2U50N08W1RB23BOMA2

KEY Part #: K6534562

DDB2U50N08W1RB23BOMA2 ფასები (აშშ დოლარი) [1387ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$31.21696

Ნაწილი ნომერი:
DDB2U50N08W1RB23BOMA2
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies DDB2U50N08W1RB23BOMA2 electronic components. DDB2U50N08W1RB23BOMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DDB2U50N08W1RB23BOMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDB2U50N08W1RB23BOMA2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DDB2U50N08W1RB23BOMA2
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : 2 Independent
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : -
ძალა - მაქსიმუმი : -
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : -
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : -
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 14nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.

  • APT75GP120JDQ3

    Microsemi Corporation

    IGBT 1200V 128A 543W SOT227.