Infineon Technologies - FS50R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6532688

[1083ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    FS50R07N2E4B11BOSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies FS50R07N2E4B11BOSA1 electronic components. FS50R07N2E4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS50R07N2E4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS50R07N2E4B11BOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : FS50R07N2E4B11BOSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
    სერიები : EconoPACK™ 2
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : Trench Field Stop
    კონფიგურაცია : Three Phase Inverter
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 650V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 70A
    ძალა - მაქსიმუმი : 190W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 50A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.1nF @ 25V
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : Yes
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : Module
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • A2C25S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

    • A2C35S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.