Microsemi Corporation - APT75GP120JDQ3

KEY Part #: K6534489

APT75GP120JDQ3 ფასები (აშშ დოლარი) [2094ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$20.67708
  • 10 pcs$19.33490
  • 25 pcs$17.88190
  • 100 pcs$16.76428
  • 250 pcs$15.64666

Ნაწილი ნომერი:
APT75GP120JDQ3
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 1200V 128A 543W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3 electronic components. APT75GP120JDQ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT75GP120JDQ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GP120JDQ3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT75GP120JDQ3
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 1200V 128A 543W SOT227
სერიები : POWER MOS 7®
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : PT
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 128A
ძალა - მაქსიმუმი : 543W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 75A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1.25mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 7.04nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : ISOTOP
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOTOP®

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.