Microsemi Corporation - APTGFQ25H120T2G

KEY Part #: K6533560

APTGFQ25H120T2G ფასები (აშშ დოლარი) [1573ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$27.53855
  • 10 pcs$25.91932
  • 25 pcs$24.29934
  • 100 pcs$23.16537

Ნაწილი ნომერი:
APTGFQ25H120T2G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 1200V 40A 227W MODULE.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G electronic components. APTGFQ25H120T2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGFQ25H120T2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGFQ25H120T2G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTGFQ25H120T2G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 1200V 40A 227W MODULE
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
IGBT ტიპი : NPT and Fieldstop
კონფიგურაცია : Full Bridge
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 40A
ძალა - მაქსიმუმი : 227W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 25A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 2.02nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : SP2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP2

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-GP250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

  • VS-GT105NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.