Infineon Technologies - FP30R07U1E4BPSA1

KEY Part #: K6532799

[1046ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    FP30R07U1E4BPSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    IGBT MODULE VCES 600V 30A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies FP30R07U1E4BPSA1 electronic components. FP30R07U1E4BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP30R07U1E4BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FP30R07U1E4BPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : FP30R07U1E4BPSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : IGBT MODULE VCES 600V 30A
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : Trench Field Stop
    კონფიგურაცია : Three Phase Inverter
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 650V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 50A
    ძალა - მაქსიმუმი : 160W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 30A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 1.9nF @ 25V
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : Yes
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : Module
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-GB90SA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • VS-GB90DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • VS-GB75NA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT