Infineon Technologies - FZ250R65KE3NPSA1

KEY Part #: K6533296

FZ250R65KE3NPSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [61ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$580.87198

Ნაწილი ნომერი:
FZ250R65KE3NPSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MODULE IGBT A-IHV73-6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FZ250R65KE3NPSA1 electronic components. FZ250R65KE3NPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ250R65KE3NPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ250R65KE3NPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FZ250R65KE3NPSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MODULE IGBT A-IHV73-6
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 6500V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 500A
ძალა - მაქსიმუმი : 4800W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.4V @ 15V, 250A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 69nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -50°C ~ 125°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • CPV364M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.