[21316ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- K4ZAF325BM-HC16
- მწარმოებელი:
- Samsung Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- 16 Gb 512M x 32 16.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Sample.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: HBM Aquabolt, LPDDR4X, SLC Nand, LPDDR3, HBM Flarebolt, LPDDR4, GDDR5 and MODULE ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4ZAF325BM-HC16 electronic components. K4ZAF325BM-HC16 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4ZAF325BM-HC16, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4ZAF325BM-HC16 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
K4ZAF325BM-HC16
მწარმოებელი :
Samsung Semiconductor
აღწერა :
16 Gb 512M x 32 16.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Sample
სერიები :
DDR3
სიმჭიდროვე :
16 Gb
Org. :
512M x 32
სიჩქარე :
16.0 Gbps
განახლება :
16K / 32 ms
პაკეტი :
180FBGA
პროდუქტის სტატუსი :
Sample
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
M378A1K43BB1-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43CB2-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
ცხელი ნაწილები
选择你的位置