[17356ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- K4Z80325BC-HC14
- მწარმოებელი:
- Samsung Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- 8 Gb 256M x 32 14.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: GDDR6, DDR3, HBM Aquabolt, GDDR5, HBM Flarebolt, SLC Nand, DDR4 and MODULE ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4Z80325BC-HC14 electronic components. K4Z80325BC-HC14 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4Z80325BC-HC14, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4Z80325BC-HC14 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
K4Z80325BC-HC14
მწარმოებელი :
Samsung Semiconductor
აღწერა :
8 Gb 256M x 32 14.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production
სერიები :
DDR3
სიმჭიდროვე :
8 Gb
Org. :
256M x 32
სიჩქარე :
14.0 Gbps
განახლება :
16K / 32 ms
პაკეტი :
180FBGA
პროდუქტის სტატუსი :
Mass Production
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
M378A1K43BB1-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43CB2-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
ცხელი ნაწილები
选择你的位置