Keystone Electronics - 2063

KEY Part #: K7359546

2063 ფასები (აშშ დოლარი) [85799ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.53935
  • 10 pcs$0.32075
  • 50 pcs$0.28943
  • 100 pcs$0.27685
  • 250 pcs$0.25170
  • 1,000 pcs$0.21143
  • 2,500 pcs$0.18877
  • 5,000 pcs$0.17904

Ნაწილი ნომერი:
2063
მწარმოებელი:
Keystone Electronics
Დეტალური აღწერა:
SHOULDER SCREW PAN SLOTTED 4-40. Screws & Fasteners SADDLE WASHER
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დამაგრებითი შესაკრავები, ხრახნიანი გრომეტი, ბამპერები, ფეხები, ბალიშები, საძაგლები, კლიპები, საკიდები, კაკვები, მოქლონები, სამონტაჟო ფრჩხილები, საკისრები and ქაფი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Keystone Electronics 2063 electronic components. 2063 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2063, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2063 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 2063
მწარმოებელი : Keystone Electronics
აღწერა : SHOULDER SCREW PAN SLOTTED 4-40
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : Shoulder Screw
ხრახნიანი ხელმძღვანელის ტიპი : Pan Head
წამყვანი ტიპი : Slotted
მახასიათებლები : Washer Included
ძაფის ზომა : #4-40
ხელმძღვანელის დიამეტრი : -
სიმაღლის თავი : -
სიგრძე - ხელმძღვანელის ქვემოთ : 0.438" (11.13mm) 7/16"
სიგრძე - საერთო ჯამში : -
მასალა : Steel
პლასტმასის : Zinc, Yellow Chromate

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.