Ნაწილი ნომერი :
SQD100N04-3M6L_GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
105nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
6700pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
136W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-252AA
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63