3M - SJ5302

KEY Part #: K7359497

SJ5302 ფასები (აშშ დოლარი) [968631ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03819
  • 200 pcs$0.03546
  • 400 pcs$0.03152
  • 600 pcs$0.02995
  • 1,000 pcs$0.02837
  • 2,600 pcs$0.02680
  • 5,000 pcs$0.02522

Ნაწილი ნომერი:
SJ5302
მწარმოებელი:
3M
Დეტალური აღწერა:
BUMPER CYLIN 0.312 DIA CLR.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საყრდენები, სხვადასხვა, თხილი, საყელურები - ბუსუსები, მხრები, ხვრელი სანთლები, აქსესუარები, ბამპერები, ფეხები, ბალიშები, საძაგლები and ხრახნები, ჭანჭიკები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in 3M SJ5302 electronic components. SJ5302 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SJ5302, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SJ5302 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SJ5302
მწარმოებელი : 3M
აღწერა : BUMPER CYLIN 0.312 DIA CLR
სერიები : Bumpon™, SJ5300
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : Bumper
ფორმის : Cylindrical, Dome
ფერი : Clear
ზომა / განზომილება : 0.312" Dia (7.92mm)
სისქე : 0.085" (2.16mm)
მასალა : Polyurethane
სიმტკიცე : 75 Shore M
ფორმა : Sheet
სამონტაჟო ტიპი : Adhesive, Acrylic

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.