IXYS - IXFT86N30T

KEY Part #: K6395062

IXFT86N30T ფასები (აშშ დოლარი) [15516ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.93630
  • 90 pcs$2.92170

Ნაწილი ნომერი:
IXFT86N30T
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 300V 86A TO268.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFT86N30T electronic components. IXFT86N30T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT86N30T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT86N30T პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFT86N30T
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 300V 86A TO268
სერიები : HiPerFET™, TrenchT2™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 300V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 86A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 11300pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 860W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ