NFM21PC104R1E3D ფასები (აშშ დოლარი) [1022539ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.03635
- 4,000 pcs$0.03617
- 8,000 pcs$0.03404
- 12,000 pcs$0.03192
- 28,000 pcs$0.02979
- Ნაწილი ნომერი:
- NFM21PC104R1E3D
- მწარმოებელი:
- Murata Electronics North America
- Დეტალური აღწერა:
- CAP FEEDTHRU 0.1UF 20 25V 0805. Feed Through Capacitors 100KPF 25V 2.0A EMI
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Helical Filters, კერამიკული ფილტრები, RF ფილტრები, EMI / RFI ფილტრები (LC, RC ქსელები), Ferrite დისკები და ფირფიტები, Ferrite მძივები და ჩიპები, საერთო რეჟიმი ჩოკი and ელექტროგადამცემი ხაზის ფილტრის მოდულები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Murata Electronics North America NFM21PC104R1E3D electronic components. NFM21PC104R1E3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NFM21PC104R1E3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NFM21PC104R1E3D პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
NFM21PC104R1E3D
მწარმოებელი :
Murata Electronics North America
აღწერა :
CAP FEEDTHRU 0.1UF 20 25V 0805
სერიები :
EMIFIL®, NFM21
ნაწილის სტატუსი :
Active
ტევადობა :
0.1µF
ტოლერანტობა :
±20%
ძაბვა - შეფასებული :
25V
მიმდინარე :
2A
DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური) :
30 mOhm
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 125°C
ჩასმა ზარალით :
-
ტემპერატურის კოეფიციენტი :
-
რეიტინგები :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
0805 (2012 Metric), 3 PC Pad
ზომა / განზომილება :
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
სიმაღლე (მაქსიმუმი) :
0.037" (0.95mm)
ძაფის ზომა :
-
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
ცხელი ნაწილები
- 2425-001-X7W0-502P
- 4305-011
- 4702-001M
- 4300-064
- PSM4-821M-20T0
- YFF21SC1H222MT009N
- 4403-030
- 2425-003-X7U0-100AA
- YFF32SC1E101M
- 2499-003-X5U0-102MLF
- 4305-005
- 2425-003-X7R0-101Z
- 54-863-005
- PSM4-131P-20B
- 4600-054
- 2482-012-X5U0-501MLF
- PSM4-252P-02B
- PSM4-471P-02T2
- 2470-500LF
- 0357-001-X5U0-102M
- 2482-012-X5U0-501M
- PSM4-101M-15T2
- 54779001X5U102P
- 54F-367-008
- YFF21SC1H473MT009N
- 4300-681
- PSM4-103Z-05T2
- W3F41A1018AT1A
- YFF31PC1C104MT009N
- YFF21PC1E104MT000N
- PSM4-131P-15B
- SCI-9920-101
- 4304-681
- 54-785-005
- 2425-001-X5W0-502AA
- 1609993-8
- 4401-007LF
- PSM4-402Z-10T2
- PSM4-821M-15T0
- PSM4-103Z-20B
选择你的位置