Harwin Inc. - S7121-42R

KEY Part #: K7359499

S7121-42R ფასები (აშშ დოლარი) [861948ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04313
  • 5,000 pcs$0.04291
  • 10,000 pcs$0.04014
  • 25,000 pcs$0.03682
  • 50,000 pcs$0.03544

Ნაწილი ნომერი:
S7121-42R
მწარმოებელი:
Harwin Inc.
Დეტალური აღწერა:
RFI SHIELD FINGER AU 1.7MM SMD. Specialized Cables EZ BDWR, SHIELD FINGER 1.7MM HIGH
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: RF გამაძლიერებლები, RF სხვადასხვა IC და მოდულები, RF დიპლექსორები, RF მოდულატორები, RF ანტენა, RFID შეფასებისა და განვითარების კომპლექტები, დაფებ, RF დენის კონტროლის IC- ები and RFID გადამცემები, წარწერები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Harwin Inc. S7121-42R electronic components. S7121-42R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S7121-42R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S7121-42R პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S7121-42R
მწარმოებელი : Harwin Inc.
აღწერა : RFI SHIELD FINGER AU 1.7MM SMD
სერიები : EZ BoardWare
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : Shield Finger
ფორმის : -
სიგანე : 0.059" (1.50mm)
სიგრძე : 0.106" (2.70mm)
სიმაღლე : 0.067" (1.70mm)
მასალა : Copper Alloy
პლასტმასის : Gold
მოპირკეთება - სისქე : Flash
დანართის მეთოდი : Solder
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 125°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.