თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები
  5. ALD210802SCL

Advanced Linear Devices Inc. - ALD210802SCL

KEY Part #: K6521904

ALD210802SCL ფასები (აშშ დოლარი) [25189ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.63614
  • 50 pcs$1.32201
Ნაწილი ნომერი:
ALD210802SCL
მწარმოებელი:
Advanced Linear Devices Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD210802SCL electronic components. ALD210802SCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD210802SCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD210802SCL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ALD210802SCL
მწარმოებელი : Advanced Linear Devices Inc.
აღწერა : MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
სერიები : EPAD®, Zero Threshold™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 4 N-Channel, Matched Pair
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 10.6V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 20mV @ 10µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
ძალა - მაქსიმუმი : 500mW
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 16-SOIC

Უახლესი ცნობები

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • J111,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J107

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 625MW TO92.

  • PF5102

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 40V 0.625W TO92.

  • J105

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 625MW TO92.

  • J109

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 625MW TO92.

  • J112

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 35V 625MW TO92.

ცხელი ნაწილები