Vishay Siliconix - SI1021R-T1-GE3

KEY Part #: K6418202

SI1021R-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [518123ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.07139
  • 3,000 pcs$0.06069

Ნაწილი ნომერი:
SI1021R-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI1021R-T1-GE3 electronic components. SI1021R-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1021R-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1021R-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI1021R-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 190mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.7nC @ 15V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 23pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 250mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-75A
პაკეტი / საქმე : SC-75A

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • TK9A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS.

  • IRFIZ34NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP.