Diodes Incorporated - DMT10H015LCG-7

KEY Part #: K6395997

DMT10H015LCG-7 ფასები (აშშ დოლარი) [199065ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18581
  • 2,000 pcs$0.16445

Ნაწილი ნომერი:
DMT10H015LCG-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMT10H015LCG-7 electronic components. DMT10H015LCG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT10H015LCG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H015LCG-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMT10H015LCG-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9.4A (Ta), 34A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 33.3nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1871pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 155°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : V-DFN3333-8
პაკეტი / საქმე : 8-VDFN Exposed Pad

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ