Infineon Technologies - IRF7807D1TR

KEY Part #: K6414439

[12754ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRF7807D1TR
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7807D1TR electronic components. IRF7807D1TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7807D1TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7807D1TR პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRF7807D1TR
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
    სერიები : FETKY™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 8.3A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 17nC @ 5V
    Vgs (მაქს) : ±12V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    FET თვისება : Schottky Diode (Isolated)
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRFIBG20G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 1000V TO-220FP.

    • IRFIZ44G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

    • IRFI9Z34N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP.

    • IRFI9Z24N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP.

    • IRFI9Z14G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP.

    • IRFI9610G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP.