Rohm Semiconductor - QS6M4TR

KEY Part #: K6523025

QS6M4TR ფასები (აშშ დოლარი) [457093ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.08946
  • 3,000 pcs$0.08901

Ნაწილი ნომერი:
QS6M4TR
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor QS6M4TR electronic components. QS6M4TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QS6M4TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QS6M4TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : QS6M4TR
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N and P-Channel
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V, 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 80pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 1.25W
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TSMT6 (SC-95)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.