Vishay Siliconix - IRFPF50PBF

KEY Part #: K6393080

IRFPF50PBF ფასები (აშშ დოლარი) [14364ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.50318
  • 10 pcs$2.23347
  • 100 pcs$1.83155
  • 500 pcs$1.48310
  • 1,000 pcs$1.25080

Ნაწილი ნომერი:
IRFPF50PBF
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix IRFPF50PBF electronic components. IRFPF50PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFPF50PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFPF50PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFPF50PBF
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 900V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2900pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 190W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247-3
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ