IXYS - IXFX52N60Q2

KEY Part #: K6405738

IXFX52N60Q2 ფასები (აშშ დოლარი) [4482ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$10.68357
  • 30 pcs$10.63042

Ნაწილი ნომერი:
IXFX52N60Q2
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - RF and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFX52N60Q2 electronic components. IXFX52N60Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX52N60Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX52N60Q2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFX52N60Q2
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 198nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6800pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 735W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PLUS247™-3
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ