Everlight Electronics Co Ltd - ALS-PT19-315C/L177/TR8

KEY Part #: K7359524

ALS-PT19-315C/L177/TR8 ფასები (აშშ დოლარი) [632328ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05849
  • 4,000 pcs$0.05677
  • 8,000 pcs$0.05161
  • 12,000 pcs$0.04817
  • 28,000 pcs$0.04645

Ნაწილი ნომერი:
ALS-PT19-315C/L177/TR8
მწარმოებელი:
Everlight Electronics Co Ltd
Დეტალური აღწერა:
LIGHT SENSOR AMBIENT SMD.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ოპტიკური სენსორები - ფოტო დეტექტორები - დისტანციურ, მოძრაობის სენსორები - ვიბრაცია, ულტრაბგერითი მიმღები, გადამცემები, ოპტიკური სენსორები - დისტანციური გაზომვა, მრავალფუნქციური, მაგნიტები - სენსორი შეესაბამება, მოძრაობის სენსორები - IMUs (ინერციული საზომი ერთეუ and სპეციალიზებული სენსორები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Everlight Electronics Co Ltd ALS-PT19-315C/L177/TR8 electronic components. ALS-PT19-315C/L177/TR8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALS-PT19-315C/L177/TR8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALS-PT19-315C/L177/TR8 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ALS-PT19-315C/L177/TR8
მწარმოებელი : Everlight Electronics Co Ltd
აღწერა : LIGHT SENSOR AMBIENT SMD
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 5.5V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : -
აქტუალური - მუქი (Id) (მაქსიმალური) : 100nA
ტალღის სიგრძე : 630nm
Ხედვის კუთხე : -
ძალა - მაქსიმუმი : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
ორიენტაცია : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
პაკეტი / საქმე : 2-SMD, No Lead
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.