ITT Cannon, LLC - 120220-0202

KEY Part #: K7359492

120220-0202 ფასები (აშშ დოლარი) [779344ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04770
  • 6,800 pcs$0.04746
  • 13,600 pcs$0.04271
  • 34,000 pcs$0.04208
  • 68,000 pcs$0.04113

Ნაწილი ნომერი:
120220-0202
მწარმოებელი:
ITT Cannon, LLC
Დეტალური აღწერა:
UNIVERSAL CONTACT 1.8MM SMD. Battery Contacts
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: RF დიპლექსორები, RFID, RF Access, ICS- ის მონიტორინგი, RFID აქსესუარები, RF Front End (LNA + PA), RF გადამცემები, RF სხვადასხვა IC და მოდულები, RF გადამცემი მოდულები and RF ფარები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ITT Cannon, LLC 120220-0202 electronic components. 120220-0202 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 120220-0202, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

120220-0202 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 120220-0202
მწარმოებელი : ITT Cannon, LLC
აღწერა : UNIVERSAL CONTACT 1.8MM SMD
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : Shield Finger, Pre-Loaded
ფორმის : -
სიგანე : 0.035" (0.90mm)
სიგრძე : 0.132" (3.35mm)
სიმაღლე : 0.071" (1.80mm)
მასალა : Beryllium Copper
პლასტმასის : Nickel
მოპირკეთება - სისქე : 118.11µin (3.00µm)
დანართის მეთოდი : Solder
ოპერაციული ტემპერატურა : -

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.