Vishay Siliconix - SIB404DK-T1-GE3

KEY Part #: K6401574

SIB404DK-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [3003ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.09104

Ნაწილი ნომერი:
SIB404DK-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIB404DK-T1-GE3 electronic components. SIB404DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB404DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIB404DK-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIB404DK-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta), 13W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SC-75-6L Single
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SC-75-6L

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ