Ნაწილი ნომერი :
APTMC120TAM33CTPAG
მწარმოებელი :
Microsemi Corporation
აღწერა :
MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
FET ტიპი :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET თვისება :
Silicon Carbide (SiC)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1200V (1.2kV)
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 3mA (Typ)
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
148nC @ 20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2850pF @ 1000V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SP6-P