Microsemi Corporation - 1N5416US

KEY Part #: K6440953

1N5416US ფასები (აშშ დოლარი) [7254ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.16099
  • 10 pcs$5.59909
  • 25 pcs$5.17911
  • 100 pcs$4.75925
  • 250 pcs$4.33929
  • 500 pcs$4.05934

Ნაწილი ნომერი:
1N5416US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5416US electronic components. 1N5416US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5416US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5416US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N5416US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 9A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 150ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : E-MELF
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-20ETF10PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • VS-E4PU3006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SS24SHE3J_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC.

  • SS23SHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC.