Vishay Semiconductor Diodes Division - SS23SHE3_A/I

KEY Part #: K6441051

[3608ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SS23SHE3_A/I
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SS23SHE3_A/I electronic components. SS23SHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS23SHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SS23SHE3_A/I პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SS23SHE3_A/I
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
    სერიები : Automotive, AEC-Q101
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Schottky
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 30V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 550mV @ 2A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 200µA @ 30V
    Capacitance @ Vr, F : 130pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-214AC, SMA
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AC (SMA)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IDB10S60CATMA2

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.

    • VS-8EWF04S-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VS-MURB1520TRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.

    • VS-20ETS08STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

    • VS-20ETS12STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.

    • VS-15TQ060STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK.