Vishay Semiconductor Diodes Division - UHB10FT-E3/4W

KEY Part #: K6440914

UHB10FT-E3/4W ფასები (აშშ დოლარი) [75420ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.54353
  • 10 pcs$0.48750
  • 25 pcs$0.46275
  • 100 pcs$0.38014
  • 250 pcs$0.33616
  • 500 pcs$0.29707
  • 1,000 pcs$0.23453
  • 2,500 pcs$0.21889
  • 5,000 pcs$0.20847

Ნაწილი ნომერი:
UHB10FT-E3/4W
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UHB10FT-E3/4W electronic components. UHB10FT-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UHB10FT-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UHB10FT-E3/4W პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : UHB10FT-E3/4W
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 300V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 10A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 300V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-20ETF10PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • STTH8S06FP

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP. Rectifiers ULT FAST HI VLT RECT TURBO 2

  • FR207TA

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15.

  • BYV10X-600PQ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2. Rectifiers Ultrafast Pwr Diode