V8PM12HM3_A/H ფასები (აშშ დოლარი) [280330ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.13194
- 6,000 pcs$0.10220
- Ნაწილი ნომერი:
- V8PM12HM3_A/H
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SCHOTTKY 120V 3.6A TO277A.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ and Thististors - SCRs - მოდულები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V8PM12HM3_A/H electronic components. V8PM12HM3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V8PM12HM3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
V8PM12HM3_A/H პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
V8PM12HM3_A/H
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 120V 3.6A TO277A
სერიები :
Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
120V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
3.6A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
840mV @ 8A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
300µA @ 120V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-277, 3-PowerDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-277A (SMPC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-4EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
-
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
-
V20DL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20A, 45V,TRENCH SKY RECT.
-
SE20FJ-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置